成果介绍

　　了解莫特绝缘体和电荷密度波（CDW）对于基础物理学和未来的器件应用都是至关重要的。但是，这两种现象之间的关系仍然不清楚，尤其是在接近二维（2D）极限的系统中。

　　有鉴于此，近日，北京理工大学刘立巍副教授等利用扫描隧道显微镜/光谱学研究单层1T-NbSe2来阐明莫特上层哈伯德能带（UHB）的能量，并揭示出自旋极化的UHB在空间上的分布远离CDW单元中心的dz2轨道。此外，除了通常观察到的CDW图案外，UHB还显示出√3×√3R30°周期性。此外，在莫特间隙深处可以看到类似于CDW有序的图案，显示出CDW不受莫特-哈伯德能带的影响。基于单层1T-NbSe2中的这些发现，本文提供了有关单层2D系统中相关电子结构与集体电子结构之间关系的新颖见解。

　　图文导读

　　图1。 具有“大卫之星”（SOD）CDW图案的大规模，高质量单层1T NbSe2。

　　图2。 BLG/SiC（0001）上单层1T-NbSe2空间依赖的电子结构。

　　图3。 UHB的有趣空间依赖性。

　　图4。 解析Mott绝缘体间隙中的CDW图案。

　　文献信息   

Direct identification of Mott Hubbard band pattern beyond charge density wave superlattice in monolayer 1T-NbSe2

　　（Nat。 Commun。， 2021， DOI：10。1038/s41467-021-22233-w）

　　文献链接：https：//www。nature。com/articles/s41467-021-22233-w